بررسی شفافیت القایی الکترومغناطیسی در نانوساختارها

از بین ساختارهای کوانتومی نیم رسانا، نقاط کوانتومی رفتار جالبی از خود نشان می دهند. یکی از این رفتارهای جالب وجود گذارهای اپتیکی بین زیر نوارها در نوار رسانش است. در آغاز دهه 90 قرن میلادی گذشته به منظور اصلاح انتشار نور درون یک محیط کدر شیوه ای موسوم به شفافیت القایی الکترومغناطیسی ارائه شد. در شرایط پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی که مبتنی بر همدوسی اتمی و تداخل کوانتومی ویرانگر است، با استفاده از یک میدان همدوس قوی، شرایطی فراهم آورده می شود تا میدان ضعیف دیگری بتواند بدون جذب از درون محیط عبور کند. توانایی انجام شفافیت القایی الکترومغناطیسی در نیم رساناها در دنیای امروز سودمند خواهد بود، درمقایسه با کارهای قبلی که بر اساس ویژگی های اسپینی و همدوسی حالت های اسپینی در نانوساختارها پایه گذاری شده بود، در این کار بر حالت های زیر نواری نقطه کوانتومی به علت وابستگی شدیدش به عامل های خارجی و نمایش گذار در بازه فرکانس تراهرتز تمرکز کرده ایم. در این رساله، تأثیرات میدان های الکتریکی و مغناطیسی، اندازه نقطه کوانتومی و فشار و دما بر شفافیت القایی الکترومغناطیسی در یک نقطه کوانتومی گالیم آرسناید بررسی شده است. برای مطالعه شفافیت القایی الکترومغناطیسی، جذب میدان لیزری جستجوگر و سرعت گروه به همراه ضریب شکست محیط مورد بحث قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که شفافیت القایی الکترومغناطیسی پدید آمده در سیستم نقطه کوانتومی و فرکانسش، همچنین پنجره شفافیت و سرعت گروه میدان جستجوگر به شدت به میدان های خارجی، فشار و سایز نقطه کوانتومی بستگی دارد. تأثیرات عوامل خارجی بر ساختار نقطه کوانتومی کاربردهای بالقوه ای برای انجام شفافیت القایی الکترومغناطیسی، نور آهسته، سوییچ های اپتیکی و نگهداری اطلاعات کوانتومی دارد.